閃存芯片，是一種能夠進行數據文件等存儲，我們可以在任何時候都能帶在身上的一種移動儲存產品，愛學習的小伙伴們，你們知道內存芯片知識分別有哪些嗎?這里給大家分享一些關于最基礎的內容芯片知識，希望對大家能有所幫助。
內存芯片有哪些種類
存儲器分類
簡稱：Cache
標準：Cache Memory
中文：高速緩存
高速緩存是隨機存取內存RAM的一種，其存取速度要比一般RAM來得快。當中央處理器CPU處理數據時，它會先到高速緩存中尋找，如果數據因先前已經讀取而暫存其中，就不需從內存中讀取數據。由于CPU的運行速度通常比主存儲器快，CPU若要連續存取內存的話，必須等待數個機器周期造成浪費。所以提供“高速緩存”的目的是適應CPU的讀取速度。如Intel的Pentium處理器分別在片上集成了容量不同的指令高速緩存和數據高速緩存，通稱為L1高速緩存Memory。L2高速緩存則通常是一顆獨立的靜態隨機存取內存SRAM芯片。
簡稱：DDR
標準：Double Date Rate
中文：雙倍數據傳輸率
DDR系統時脈為100或133MHz，但是數據傳輸速率為系統時脈的兩倍，即200或266MHz，系統使用3.3或3.5V的電壓。因為DDR SDRAM的速度增加，因此它的傳輸效能比同步動態隨機存取內存SDRAM好。
DDR is the acronym for Double Data Rate Synchronous DRAM SDRAM. DDR SDRAM
memory technology is an evolutionary technology derived from mature SDRAMtechnology. The secret to DDR memory's high performance is its ability toperform two data operations in one clock cycle - providing twice the throughput
of SDRAM
簡稱：DIMM
標準：Dual in Line Memory Module
中文：雙直列內存條
DIMM是一個采用多塊隨機存儲器RAM芯片Chip焊接在一片PCB板上模塊，它實際上是一種封裝技術。在PCB板的一邊緣上，每面有64叫指狀銅接觸條，兩面共有168條。DIMM可以分為3.3V和5V兩種電壓，這其中又有含緩沖器以及不含緩沖器兩種，目前比較常見的是3.3V含緩沖器類型，而DIMM還需要一個抹除式只讀存儲器EPROM供基本輸出入系統BIOS儲存各種參數，讓芯片組Chipset達到最佳狀態。
簡稱：DRAM
標準：Dynamic Random Access Memory
中文：動態隨機存儲器
一般計算機系統使用的隨機存取內存RAM可分動態與靜態隨機存取內存SRAM兩種，差異在于DRAM需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷新，才能維系數據保存，SRAM的數據則不需要刷新過程，在上電期間，數據不會丟失。
簡稱：ECC
標準：Error Checking and Correction在處理單位作錯誤偵測和改正所有的單一位的誤差，也可以作雙位或多位的誤差核對與改正。
簡稱：EDO DRAM
標準：Extend Data Out Dynamic Random Access Memory
中文：EDO動態隨機存儲器
EDO DRAM也稱為Hyper Page Mode DRAM，這是一種可以增加動態隨機存取內存DRAM讀取效能的存儲器，為了提高EDO DRAM的讀取效率，EDO DRAM可以保持資料輸出直到下一周期CAS#之下降邊緣，而EDO DRAM的頻寬由100個兆字節MB增加到了200MB。
簡稱：EEPROM
標準：Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory
中文：電子抹除式只讀存儲器
非揮發性存儲器。電源撤除后，儲存的信息Data依然存在，在特殊管腳上施加電壓，同時輸出相應命令，就可以擦除內部數據。典型應用于如電視機、空調中，存儲用戶設置的參數。
這種存儲器支持再線修改數據，每次寫數據之前，必須保證書寫單元被擦除干凈，寫一個數據的大約時間在2-10ms之間。支持單字節單元擦除功能。
簡稱：EPROM
標準：Erasable Programmable Read-Only Memory
中文：紫外擦除只讀存器
非揮發性存儲器。不需要電力來維持其內容，非常適合用作硬件當中的基本輸出入系統BIOS。允許使用者以紫外線消除其中的程序重復使用。
這種存儲器不支持再線修改數據。
簡稱：Flash
標準：Memory
中文：閃爍存儲器
非揮發性存儲器。是目前在可在線可改寫的非揮發性存儲器中容量最大的存儲器。支持再線修改數據，寫數據的速度比EEPROM提高1個數量級。
Flash應用于大容量的數據和程序存儲，如電子字典庫、固態硬盤、PDA上的操作系統等。
簡稱：FeRAM
標準：Ferroelectric random access memory
中文：鐵電存儲器
ferroelectric random access memory FRAM is a new generation of nonvolatilememory that combines high-performance and low-power operation with the abilityto retain data without power.FRAM has the fast read/write speed and low power of battery-backed SRAM andeliminates the need for a battery
簡稱：MRAM
標準：Magnetoresistive Random Access Memory
中文：磁性隨機存儲器
磁性隨機存儲器是正在開發階段的，基于半導體1T和磁通道magnetic tunneljunction-MTJ技術的固態存儲介質，屬于非揮發性芯片。主要開發廠商有IBM、Infineon英飛凌、Cypress和Motorola摩托羅拉。其擦寫次數高于現有的Flash存儲器，可達
1015，讀寫時間可達70nS，
簡稱：RAM
標準：Random Access Memory
中文：隨機存儲器
隨機存取內存，是內存Memory的一種，由計算機CPU控制，是計算機主要的儲存區域，指令和資料暫時存在這里。RAM是可讀可寫的內存，它幫助中央處理器 CPU 工作，從鍵盤Keyboard 或鼠標之類的來源讀取指令，幫助CPU把資料 Data 寫到一樣可讀可寫的輔助內存 Auxiliary Memory ，以便日后仍可取用，也能主動把資料送到輸出裝置，例如打印機、顯示器。 RAM的大小會影響計算的速度，RAM越大，所能容納的資料越多，CPU讀取的速度越快。
簡稱：RDRAM
標準：Rambus DRAM
中文：Rambus動態隨機存儲器
這是一種主要用于影像加速的內存 Memory ，提供了1000Mbps的傳送速率，作業時不會間斷，比起動態隨機存取內存 DRAM 的200mbps更加快速，當然價格比要DRAM貴。雖然RDRA無法完全取代現有內存，不過因為總線 BUS 速度的需求，可以取代DRAM與靜態隨機存取內存 SRAM 。 SDRAM的運算速度為100赫茲 Hz ，制造商展示的RDRAM則可達600MHz，內存也只有8或9位 bit 長，若將RDRAM并排使用，可以大幅增加頻寬Bandwidth ，將內存增為32或64位。
簡稱：ROM
標準：Read Only Memory
中文：只讀存儲器
只讀存儲器，這種內存 Memory 的內容任何情況下都不會改變，計算機與使用者只能讀取保存在這里的指令，和使用儲存在ROM的數據，但不能變更或存入資料。 ROM被儲存在一個非揮發性芯片上，也就是說，即使在關機之后記憶的內容仍可以被保存，所以這種內存多用來儲存特定功能的程序或系統程序。 ROM儲存用來激活計算機的指令，開機的時候ROM提供一連串的指令給中央處理單元進行測試，在最初的測試中，檢查RAM位置location以確認其儲存數據的能力。此外其它電子組件包括鍵盤 Keyboard 、計時回路timercircuit以及CPU本身也被納入CPU的測試中。
簡稱：SDRAM
標準：Synchronous Dynamic RAM
中文：同步動態隨機存儲器
SDRAM的運作時脈和微處理器 Microprocessor 同步，所以可以比EDO 動態記憶模塊EDO DRAM 的速度還快，采用3.3V電壓EDO DRAM為5V，168個接腳，還可以配合中央處理器 CPU 的外頻 External Clock ，而有66與100MHz不同的規格，100MHz的規格就是大家所熟知的PC100內存 Memory 。
簡稱：SIMM
標準：Single In-Line Memory Module
中文：單直列內存模塊
內存Memory 模塊的概念一直到80386時候才被應用在主機板Mother Board上，當時的接腳主要為30個，可以提供8條資料 Data 存取線 Access Line，一次資料存取
Access為32個字節，所以分為四條一組，因此80386以四條為一個單位。而今一條SIMM為72Pins，不過只能提供32字節的工作量，但是外部的數據總線Data Bus為64字節bite，因此一個主機板上必須有兩條SIMM才足以執行龐大的資料Data處理工作。
簡稱：SRAM
標準：Static Random Access Memory
中文：靜態隨機存儲器
SRAM制造方法與動態隨機存取內存DRAM 不同，每個位使用6個晶體管transistor組成，不需要不斷對晶體管周期刷新以保持數據丟失，其存取時間較短控制電路簡單，但制造成本較高，單片難以做到DRAM那樣容量。
簡稱：VCM SDRAM
標準：Virtual Channel Memory SDRAM
中文：虛擬信道存儲器
1999年由于SDRAM在市場上大為缺貨，而由日本NEC恩益禧搭配一些主機板廠商及芯片組Chipset業者，大力推廣所謂的VCM模塊技術，而為消費者廣為接受，日本NEC更希望一舉將VCM的規格推向工業級標準。VCM內存規格是以SDRAM為基礎觀念所開發出的新產品，并加強原有的SDRAM功能。昔日的SDRAM須等待中央處理器CPU處理完資料或VGA卡處理完資料后，才能完整地送至SDRAM做進一步的處理，然而VCM的內部區分為16條虛擬信道VirtualChannel，每一個信道都負責一個單獨的memory master，因此可以減少內存Memory接口的負擔，進而增加計算機使用者使用效率。 目前為全球第四大內存模塊廠商的宇瞻科技與日本NEC技術合作，在臺灣推出以PC133 PC133 VCM內存模塊為設計的筆記型計算機，由于VCM技術可以減少內存接口的負擔，以及本身低耗電的特性，相當適合筆記型計算機的運用，品質與一般個人計算機相較之下毫不遜色。
ai芯片和普通芯片區別
1、性能與傳統芯片，比如CPU、GPU有很大的區別。在執行AI算法時，更快、更節能。普通芯片的速度慢，性能低，無法實際商用。
2、普通芯片在上傳和下載的過程中，完全有可能出現數據泄露的問題。ai芯片在手機終端就能進行計算，無需上傳到云端，就避免了數據泄露的風險。
集成電路(英語：integrated circuit，縮寫作 IC)，或稱微電路(microcircuit)、微芯片(microchip)、晶片/芯片(chip)在電子學中是一種把電路(主要包括半導體設備，也包括被動組件等)小型化的方式，并時常制造在半導體晶圓表面上。晶體管發明并大量生產之后，各式固態半導體組件如二極管、晶體管等大量使用，取代了真空管在電路中的功能與角色。到了20世紀中后期半導體制造技術進步，使得集成電路成為可能。相對于手工組裝電路使用個別的分立電子組件，集成電路可以把很大數量的微晶體管集成到一個小芯片，是一個巨大的進步。集成電路的規模生產能力，可靠性，電路設計的模塊化方法確保了快速采用標準化集成電路代替了設計使用離散晶體管。集成電路對于離散晶體管有兩個主要優勢：成本和性能。成本低是由于芯片把所有的組件通過照相平版技術，作為一個單位印刷，而不是在一個時間只制作一個晶體管。性能高是由于組件快速開關，消耗更低能量，因為組件很小且彼此靠近。
什么是仿生芯片
芯片是將電路制造在半導體芯片表面上的集成電路又稱薄膜集成電路。另有一種厚膜集成電路是由獨立半導體設備和被動組件，集成到襯底或線路板所構成的小型化電路。晶體管發明并大量生產之后，各式固態半導體組件如二極管、晶體管等大量使用，取代真空管在電路中的功能與角色。到了20世紀中后期半導體制造技術進步，使得集成電路成為可能。相對于手工組裝電路使用個別的分立電子組件，集成電路可以把很大數量的微晶體管集成到一個小芯片，是一個巨大的進步。
集成電路英語：integrated circuit，縮寫作 IC;或稱微電路(microcircuit)、微芯片(microchip)、晶片/芯片(chip)在電子學中是一種將電路(主要包括半導體設備，也包括被動組件等)小型化的方式，并時常制造在半導體晶圓表面上。將電路制造在半導體芯片表面上的集成電路又稱薄膜(thin-film)集成電路。另有一種厚膜(thick-film)集成電路(hybrid integrated circuit)是由獨立半導體設備和被動組件，集成到襯底或線路板所構成的小型化電路。
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