我們平常所說的“內(nèi)存”大都是指“內(nèi)存條”。那么什么是“內(nèi)存條”呢?常見的“內(nèi)存條”又有哪些類型呢?這里給大家分享一些關(guān)于內(nèi)存條有什么類型，希望對大家能有所幫助。
什么是內(nèi)存條
1內(nèi)存是由許多整齊排列的集成塊組成，呈長條狀;
2常見的內(nèi)存是 DDR2類型，如 DDR2 667，容量是512M或1G，電腦中一般至少要2G，
如果是集成顯卡使用共享內(nèi)存，那么系統(tǒng)顯示的內(nèi)存容量要少一些，可以在BIOS中設(shè)置;
3內(nèi)存一般可以由系統(tǒng)自動識別設(shè)置參數(shù)，主要是延遲 CAS LatencyCL，可以在 BIOS 設(shè)置的選項中查看;
常見的內(nèi)存條
目前PC中所用的內(nèi)存主要有SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM、DDR2等四種類型。
曾經(jīng)主流——SDRAM
SDRAMSynchronous DRAM即“同步動態(tài)隨機存儲器”。SDRAM內(nèi)存條的兩面都有金手指，是直接插在內(nèi)存條插槽中的，因此這種結(jié)構(gòu)也叫“雙列直插式”，英文名叫“DIMM”。目前絕大部分內(nèi)存條都采用這種“DIMM”結(jié)構(gòu)。
隨著處理器前端總線的不斷提高，SDRAM已經(jīng)無法滿足新型處理器的需要了，早已退出了主流市場。
今日主流——DDR SDRAM
DDR SDRAM簡稱DDR是采用了DDRDouble Data Rate SDRAM，雙倍數(shù)據(jù)速度技術(shù)的SDRAM，與普通SDRAM相比，在同一時鐘周期內(nèi)，DDR SDRAM能傳輸兩次數(shù)據(jù)，而SDRAM只能傳輸一次數(shù)據(jù)。
從外形上看DDR內(nèi)存條與SDRAM相比差別并不大，它們具有同樣的長度與同樣的引腳距離。只不過DDR內(nèi)存條有184個引腳，金手指中也只有一個缺口，而SDRAM內(nèi)存條是168個引腳，并且有兩個缺口。
根據(jù)DDR內(nèi)存條的工作頻率，它又分為DDR200、DDR266、DDR333、DDR400等多種類型：與SDRAM一樣，DDR也是與系統(tǒng)總線頻率同步的，不過因為雙倍數(shù)據(jù)傳輸，因此工作在133MHz頻率下的DDR相當(dāng)于266MHz的SDRAM，于是便用DDR266來表示。
小提示：工作頻率表示內(nèi)存所能穩(wěn)定運行的最大頻率，例如PC133標(biāo)準(zhǔn)的SDRAM的工作頻率為133MHz，而DDR266 DDR的工作頻率為266MHz。對于內(nèi)存而言，頻率越高，其帶寬越大。
除了用工作頻率來標(biāo)示DDR內(nèi)存條之外，有時也用帶寬值來標(biāo)示，例如DDR 266的內(nèi)存帶寬為2100MB/s，所以又用PC2100來標(biāo)示它，于是DDR333就是PC2700，DDR400就是PC3200了。
小提示：內(nèi)存帶寬也叫“數(shù)據(jù)傳輸率”，是指單位時間內(nèi)通過內(nèi)存的數(shù)據(jù)量，通常以GB/s表示。我們用一個簡短的公式來說明內(nèi)存帶寬的計算方法：內(nèi)存帶寬=工作頻率×位寬/8×n時鐘脈沖上下沿傳輸系數(shù)，DDR的系數(shù)為2。
由于DDR內(nèi)存條價格低廉，性能出色，因此成為今日主流的內(nèi)存產(chǎn)品。
過時的貴族——RDRAM
RDRAM存儲器總線式動態(tài)隨機存儲器是Rambus公司開發(fā)的一種新型DRAM。RDRAM雖然位寬比SDRAM及DDR的64bit窄，但其時鐘頻率要高得多。
從外觀上來看，RDRAM內(nèi)存條與SDRAM、DDR SDRAM內(nèi)存條有點相似。
從技術(shù)上來看，RDRAM是一種比較先進(jìn)的內(nèi)存，但由于價格高，在市場上普及不是很實際。如今的RDRAM已經(jīng)退出了普通臺式機市場。
最新的內(nèi)存——DDR2
DDR2是英特爾極力推動的新一代內(nèi)存，DDR2構(gòu)建在DDR的基礎(chǔ)上，通過增加4位預(yù)取機制使得在核心頻率不變的條件下將數(shù)據(jù)帶寬提升4倍，為效能提升掃清了障礙。為提高兼容性，DDR2將終結(jié)器直接整合于內(nèi)存顆粒中，這也有效降低了主板的制造成本。此外，DDR2在延遲方面的機制也有所改變，增加了AL附加延遲的概念，這不可避免導(dǎo)致DDR2延遲時間增加。
高頻率、高帶寬是DDR2最大的優(yōu)點，它將有DDR2-400、DDR2-533、DDR2-667和DDR2-800等規(guī)范，最高帶寬分別達(dá)到3.2GB/s、4.2GB/s、5.3GB/s和GB/s，比目前的DDR內(nèi)存有大幅度提升，但它們的核心頻率仍保持在很低的水平，使得產(chǎn)品可在更低的電壓下運作DDR工作在2.5V下，DDR2僅需要1.8V工作電壓、功耗也比DDR有了明顯的降低。不過，DDR2的延遲周期反而比DDR長，后者的CL延遲一般是2、2.5和3個周期，而DDR2一般為3、4和5個周期，再加上AL附加延遲附加延遲為0～4個周期，使得DDR2讀數(shù)據(jù)的延遲時間比DDR大幅增加——顯然，在帶寬相同的情況下，DDR2的實際性能反而不如DDR。
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