關于內存，不少人都知道它是電腦里面一個重要的部件，但是對于再深入的了解，恐怕就沒有了吧。這里給大家分享一些關于電腦內存知識介紹，希望對大家能有所幫助。
你知道最新的RAM技術詞匯嗎?
介紹一些最新的RAM技術詞匯
CDRAM-Cached DRAM——高速緩存存儲器
CVRAM-Cached VRAM——高速緩存視頻存儲器
DRAM-Dynamic RAM——動態(tài)存儲器
EDRAM-Enhanced DRAM——增強型動態(tài)存儲器
EDO RAM-Extended Date Out RAM——外擴充數據模式存儲器
EDO SRAM-Extended Date Out SRAM——外擴充數據模式靜態(tài)存儲器
EDO VRAM-Extended Date Out VRAM——外擴充數據模式視頻存儲器
FPM-Fast Page Mode——快速頁模式
FRAM-Ferroelectric RAM——鐵電體存儲器
SDRAM-Synchronous DRAM——同步動態(tài)存儲器
SRAM-Static RAM——靜態(tài)存儲器
SVRAM-Synchronous VRAM——同步視頻存儲器
3D RAM-3 DIMESION RAM——3維視頻處理器專用存儲器
VRAM-Video RAM——視頻存儲器
WRAM-Windows RAM——視頻存儲器圖形處理能力優(yōu)于VRAM
MDRAM-MultiBank DRAM——多槽動態(tài)存儲器
SGRAM-Signal RAM——單口存儲器
存儲器有哪些主要技術指標
存儲器是具有“記憶”功能的設備，它用具有兩種穩(wěn)定狀態(tài)的物理器件來表示二進制數碼 “0”和“1”，這種器件稱為記憶元件或記憶單元。記憶元件可以是磁芯，半導體觸發(fā)器、 MOS電路或電容器等。 位bit是二進制數的最基本單位，也是存儲器存儲信息的最小單位，8位二進制數稱為一 個字節(jié)Byte，可以由一個字節(jié)或若干個字節(jié)組成一個字Word在PC機中一般認為1個或 2個字節(jié)組成一個字。若干個憶記單元組成一個存儲單元，大量的存儲單元的集合組成一個 存儲體MemoryBank。 為了區(qū)分存儲體內的存儲單元，必須將它們逐一進行編號，稱為地址。地址與存儲單元之間 一一對應，且是存儲單元的唯一標志。應注意存儲單元的地址和它里面存放的內容完全是兩 回事。
根據存儲器在計算機中處于不同的位置，可分為主存儲器和輔助存儲器。在主機內部，直接 與CPU交換信息的存儲器稱主存儲器或內存儲器。在執(zhí)行期間，程序的數據放在主存儲器 內。各個存儲單元的內容可通過指令隨機讀寫訪問的存儲器稱為隨機存取存儲器RAM。另 一種存儲器叫只讀存儲器ROM，里面存放一次性寫入的程序或數據，僅能隨機讀出。RAM 和ROM共同分享主存儲器的地址空間。
RAM中存取的數據掉電后就會丟失，而掉電后ROM中 的數據可保持不變。 因為結構、價格原因，主存儲器的容量受限。為滿足計算的需要而采用了大容量的輔助存儲 器或稱外存儲器，如磁盤、光盤等。 存儲器的特性由它的技術參數來描述。
存儲容量：存儲器可以容納的二進制信息量稱為存儲容量。一般主存儲器內存容量在幾 十K到幾十M字節(jié)左右;輔助存儲器外存在幾百K到幾千M字節(jié)。
存取周期：存儲器的兩個基本操作為讀出與寫入，是指將信息在存儲單元與存儲寄存器 MDR之間進行讀寫。存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩(wěn)定在MDR的輸出端為止的時間 間隔，稱為取數時間TA;兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間稱為存儲周期TMC。半導 體存儲器的存取周期一般為60ns-100ns。
存儲器的可靠性：存儲器的可靠性用平均故障間隔時間MTBF來衡量。MTBF可以理解為兩 次故障之間的平均時間間隔。MTBF越長，表示可靠性越高，即保持正確工作能力越強。
性能價格比：性能主要包括存儲器容量、存儲周期和可靠性三項內容。性能價格比是一個 綜合性指標，對于不同的存儲器有不同的要求。對于外存儲器，要求容量極大，而對緩沖存 儲器則要求速度非常快，容量不一定大。因此性能/價格比是評價整個存儲器系統(tǒng)很重要的 指標。
SDARM能成為下一代內存的主流嗎
快頁模式FPMDRAM的黃金時代已經過去。隨著高效內存集成電路的出現和為優(yōu)化Pentium 芯片運行效能而設計的INTEL HX、VX等核心邏輯芯片組的支持，人們越來越傾向于采用擴 展數據輸出EDODRAM。 EDO DRAM采用一種特殊的內存讀出電路控制邏輯，在讀寫一個地址單元時，同時啟動下一 個連續(xù)地址單元的讀寫周期。從而節(jié)省了重選地址的時間，使存儲總線的速率提高到 40MHz。也就是說，與快頁內存相比，內存性能提高了將近15%～30%，而其制造成本與快頁 內存相近。
但是EDO內存也只能輝煌一時，其稱霸市場的時間將極為短暫。不久以后市場上主流CPU的 主頻將高達200MHz以上。為優(yōu)化處理器運行效能，總線時鐘頻率至少要達到66MHz以上。 多媒體應用程序以及Windows 95和Windows NT操作系統(tǒng)對內存的要求也越來越高，為緩解 瓶頸，只有采用新的內存結構，以支持高速總線時鐘頻率，而不至于插入指令等待周期。
這樣，為適應下一代主流CPU的需要，在理論上速度可與CPU頻率同步，與CPU共享一個時鐘 周期的同步DRAMSYNCHRONOUS DRAMS即SDRAM注意和用作CACHE的SRAM區(qū)別，SRAM的全 寫是Static RAM即靜態(tài)RAM，速度雖快，但成本高，不適合做主存應運而生，與其它內存 結構相比，性能\價格比最高，勢必將成為內存發(fā)展的主流。
SDRAM基于雙存儲體結構，內含兩個交錯的存儲陣列，當CPU從一個存儲體或陣列訪問數據 的同時，另一個已準備好讀寫數據。通過兩個存儲陣列的緊密切換，讀取效率得到成倍提 高。去年推出的SDRAM最高速度可達100MHz，與中檔Pentium同步，存儲時間高達5～ 8ns，可將Pentium系統(tǒng)性能提高140%，與Pentium 100、133、166等每一檔次只能提高性 能百分之幾十的CPU相比，換用SDRAM似乎是更明智的升級策略。
在去年初許多DRAM生產廠家已開始上市4MB×4和2MB×8的16MB SDRAM內存條，但其成本 較高。現在每一個內存生產廠家都在擴建SDRAM生產線。預計到今年底和1998年初，隨著 64M SDRAM內存條的大量上市，SDRAM將占據主導地位。其價格也將大幅下降。
但是SDRAM的發(fā)展仍有許多困難要加以克服，其中之一便是主板核心邏輯芯片組的限制。VX 芯片組已開始支持168線SDRAM，但一般VX主板只有一條168線內存槽，最多可上32M SDRAM，而簡潔高效的HX主板則不支持SDRAM。預計下一代Pentium主板芯片組TX將更好 的支持SDRAM。Intel最新推出的下一代Pentium主板芯片組TX將更好的支持SDRAM。
SDRAM不僅可用作主存，在顯示卡專用內存方面也有廣泛應用。對顯示卡來說，數據帶寬越 寬，同時處理的數據就越多，顯示的信息就越多，顯示質量也就越高。以前用一種可同時進 行讀寫的雙端口視頻內存VRAM來提高帶寬，但這種內存成本高，應用受很大限制。因此在 一般顯示卡上，廉價的DRAM和高效的EDO DRAM應用很廣。但隨著64位顯示卡的上市，帶 寬已擴大到EDO DRAM所能達到的帶寬的極限，要達到更高的1600×1200的分辨率，而又盡 量降低成本，就只能采用頻率達66MHz、高帶寬的SDRAM了。
SDRAM也將應用于共享內存結構UMA——一種集成主存和顯示內存的結構。這種結構在很 大程度上降低了系統(tǒng)成本，因為許多高性能顯示卡價格高昂，就是因為其專用顯示內存成本 極高，而UMA技術將利用主存作顯示內存，不再需要增加專門顯示內存，因而降低了成本。
什么是Flash Memory 存儲器
介紹關于閃速存儲器有關知識 近年來，發(fā)展很快的新型半導體存儲器是閃速存儲器Flash Memory。它的主要特點是在不 加電的情況下能長期保持存儲的信息。就其本質而言，Flash Memory屬于EEPROM電擦除可 編程只讀存儲器類型。它既有ROM的特點，又有很高的存取速度，而且易于擦除和重寫， 功耗很小。目前其集成度已達4MB，同時價格也有所下降。 由于Flash Memory的獨特優(yōu)點，如在一些較新的主板上采用Flash ROM BIOS，會使得BIOS 升級非常方便。
Flash Memory可用作固態(tài)大容量存儲器。目前普遍使用的大容量存儲器仍為硬盤。硬盤雖 有容量大和價格低的優(yōu)點，但它是機電設備，有機械磨損，可靠性及耐用性相對較差，抗沖 擊、抗振動能力弱，功耗大。因此，一直希望找到取代硬盤的手段。由于Flash Memory集 成度不斷提高，價格降低，使其在便攜機上取代小容量硬盤已成為可能。
目前研制的Flash Memory都符合PCMCIA標準，可以十分方便地用于各種便攜式計算機中以 取代磁盤。當前有兩種類型的PCMCIA卡，一種稱為Flash存儲器卡，此卡中只有Flash Memory芯片組成的存儲體，在使用時還需要專門的軟件進行管理。另一種稱為Flash驅動 卡，此卡中除Flash芯片外還有由微處理器和其它邏輯電路組成的控制電路。它們與IDE標 準兼容，可在DOS下象硬盤一樣直接操作。因此也常把它們稱為Flash固態(tài)盤。 Flash Memory不足之處仍然是容量還不夠大，價格還不夠便宜。因此主要用于要求可靠性 高，重量輕，但容量不大的便攜式系統(tǒng)中。在586微機中已把BIOS系統(tǒng)駐留在Flash存儲 器中。
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