內存也經過了幾代的發展，現今比較流行的是DDR2、DDR3、DDR3L幾種規格，DDR3現在已基本普及，這里給大家分享一些關于內存基礎知識介紹，希望對大家能有所幫助。
什么是Shadow RAM 內存
Shadow RAM也稱為“影子”內存。它是為了提高系統效率而采用的一種專門技術。 Shadow RAM所使用的物理芯片仍然是CMOS DRAM動態隨機存取存儲器芯片。Shadow RAM 占據了系統主存的一部分地址空間。其編址范圍為C0000～FFFFF，即為1MB主存中的 768KB～1024KB區域。這個區域通常也稱為內存保留區，用戶程序不能直接訪問。
Shadow RAM的功能是用來存放各種ROM BIOS的內容。或者說Shadow RAM中的內容是ROM BIOS的拷貝。因此也把它稱為ROM Shadow即Shadow RAM的內容是ROM BIOS的“影 子”。 在機器上電時，將自動地把系統BIOS、顯示BIOS及其它適配器的BIOS裝載到Shadow RAM 的指定區域中。由于Shadow RAM的物理編址與對應的ROM相同，所以當需要訪問BIOS時， 只需訪問Shadow RAM即可，而不必再訪問ROM。
通常訪問ROM的時間在200ns左右，而訪問DRAM的時間小于100ns最新的DRAM芯片訪問時 間為60ns左右或者更小。在系統運行的過程中，讀取BIOS中的數據或調用BIOS中的程序 模塊是相當頻繁的。顯然，采用了Shadow技術后，將大大提高系統的工作效率。 按下按鍵你可以看到該地址空間分配圖,在如圖所示的1MB主存地址空間中，640KB以下的 區域是常規內存。640KB～768KB區域保留為顯示緩沖區。768KB～1024KB區域即為Shadow RAM區。在系統設置中，又把這個區域按16KB大小的尺寸分為塊，由用戶設定是否允許使 用。
C0000～C7FFF這兩個16KB塊共32KB通常用作顯示卡的ROM BIOS的Shadow區。 C8000～EFFFF這10個16KB塊可作為其它適配器的ROM BIOS的Shadow區。F0000～FFFFF 共64KB規定由系統ROM BIOS使用。 應該說明的是，只有當系統配置有640KB以上的內存時才有可能使用Shadow RAM。在系統 內存大于640KB時，用戶可在CMOS設置中按照ROM Shadow分塊提示，把超過640KB以上的 內存分別設置為“允許”Enabled即可。
什么是EDO RAM
內存是計算機中最主要的部件之一。微機誕生以來，它的心臟--CPU幾經改朝換代，目前已 發展到了PentiumⅡ，較之于當初，它在速度上已有兩個數量級的增長。而內存的構成器件 RAM隨機存儲器--一般為DRAM動態隨機存儲器，雖然單個芯片的容量不斷擴大，但存取 速度并沒有太大的提高。雖然人們早就采用高速但昂貴的SRAM芯片在CPU和內存之間增加 一種緩沖設備--Cache，以緩沖兩者之間的速度不匹配問題。但這并不能根本解決問題。于 是人們把注意力集中到DRAM接口芯片收發數據的途徑上。
在RAM芯片之中，除存儲單元之外，還有一些附加邏輯電路，現在，人們已注意到RAM芯片 的附加邏輯電路，通過增加少量的額外邏輯電路，可以提高在單位時間內的數據流量，即所 謂的增加帶寬。EDO正是在這個方面作出了嘗試。
擴展數據輸出Extended data out--EDO，有時也稱為超頁模式--hyper-page-modeDRAM， 和突發式EDOBust EDO-BEDODRAM是兩種基于頁模式內存的內存技術。EDO大約一年前被 引入主流PC，從那以后成為許多系統廠商的主要內存選擇。BEDO相對更新一些，對市場的 吸引還未能達到EDO的水平。 EDO的工作方式頗類似于FPM DRAM：先觸發內存中的一行，然后觸發所需的那一列。但是當 找到所需的那條信息時，EDO DRAM不是將該列變為非觸發狀態而且關閉輸出緩沖區這是 FPM DRAM采取的方式，而是將輸出數據緩沖區保持開放，直到下一列存取或下一讀周期開 始。由于緩沖區保持開放，因而EDO消除了等待狀態，且突發式傳送更加迅速。
EDO還具有比FPM DRAM的6-3-3-3更快的理想化突發式讀周期時鐘安排：6-2-2-2。這使得 在66MHz總線上從DRAM中讀取一組由四個元素組成的數據塊時能節省3個時鐘周期。EDO 易于實現，而且在價格上EDO與FPM沒有什么差別，所以沒有理由不選擇EDO。 BEDO DRAM比EDO能更大程度地改善FPM的時鐘周期。由于大多數PC應用程序以四周期突 發方式訪問內存，以便填充高速緩沖內存 系統內存將數據填充至L2高速緩存，如果沒有 L2高速緩存，則填充至CPU，所以一旦知道了第一個地址，接下來的三個就可以很快地由 DRAM提供。BEDO最本質的改進是在芯片上增加了一個地址計數器，用來跟蹤下一個地址。 BEDO還增加了流水線級，允許頁訪問周期被劃分為兩個部分。
對于內存讀操作，第一部分 負責將數據從內存陣列中讀至輸出級第二級鎖存，第二部分負責從這一鎖存將數據總線驅 動至相應的邏輯級別。因為數據已經在輸出緩沖區內，所以訪問時間得以縮短。BEDO能達 到的最大突發式時鐘安排為5-1-1-1采用52nsBEDO和66-MHz總線比優化EDO內存又節省 了四個時鐘周期。
RAM是如何工作的
實際的存儲器結構由許許多多的基本存儲單元排列成矩陣形式，并加上地址選擇及讀寫控制 等邏輯電路構成。當CPU要從存儲器中讀取數據時，就會選擇存儲器中某一地址，并將該地 址上存儲單元所存儲的內容讀走。 早期的DRAM的存儲速度很慢，但隨著內存技術的飛速發展，隨后發展了一種稱為快速頁面 模式Fast Page Mode的DRAM技術，稱為FPDRAM。FPM內存的讀周期從DRAM陣列中某一行 的觸發開始，然后移至內存地址所指位置的第一列并觸發，該位置即包含所需要的數據。第 一條信息需要被證實是否有效，然后還需要將數據存至系統。一旦發現第一條正確信息，該 列即被變為非觸發狀態，并為下一個周期作好準備。這樣就引入了“等待狀態”，因為在該 列為非觸發狀態時不會發生任何事情CPU必須等待內存完成一個周期。
直到下一周期開始 或下一條信息被請求時，數據輸出緩沖區才被關閉。在快頁模式中，當預測到所需下一條數 據所放位置相鄰時，就觸發數據所在行的下一列。下一列的觸發只有在內存中給定行上進行 順序讀操作時才有良好的效果。 從50納秒FPM內存中進行讀操作，理想化的情形是一個以6-3-3-3形式安排的突發式周期 6個時鐘周期用于讀取第一個數據元素，接下來的每3個時鐘周期用于后面3個數據元 素。第一個階段包含用于讀取觸發行列所需要的額外時鐘周期。一旦行列被觸發后，內存 就可以用每條數據3個時鐘周期的速度傳送數據了。 FP RAM雖然速度有所提高，但仍然跟不上新型高速的CPU。很快又出現了EDO RAM和SDRAM等新型高速的內存芯片。
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