閃存芯片，是一種能夠進(jìn)行數(shù)據(jù)文件等存儲(chǔ)，我們可以在任何時(shí)候都能帶在身上的一種移動(dòng)儲(chǔ)存產(chǎn)品，愛學(xué)習(xí)的小伙伴們，你們知道內(nèi)存芯片知識(shí)分別有哪些嗎?這里給大家分享一些關(guān)于最基礎(chǔ)的內(nèi)容芯片知識(shí)，希望對(duì)大家能有所幫助。
內(nèi)存芯片有哪些種類
存儲(chǔ)器分類
簡(jiǎn)稱：Cache
標(biāo)準(zhǔn)：Cache Memory
中文：高速緩存
高速緩存是隨機(jī)存取內(nèi)存RAM的一種，其存取速度要比一般RAM來得快。當(dāng)中央處理器CPU處理數(shù)據(jù)時(shí)，它會(huì)先到高速緩存中尋找，如果數(shù)據(jù)因先前已經(jīng)讀取而暫存其中，就不需從內(nèi)存中讀取數(shù)據(jù)。由于CPU的運(yùn)行速度通常比主存儲(chǔ)器快，CPU若要連續(xù)存取內(nèi)存的話，必須等待數(shù)個(gè)機(jī)器周期造成浪費(fèi)。所以提供“高速緩存”的目的是適應(yīng)CPU的讀取速度。如Intel的Pentium處理器分別在片上集成了容量不同的指令高速緩存和數(shù)據(jù)高速緩存，通稱為L1高速緩存Memory。L2高速緩存則通常是一顆獨(dú)立的靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存SRAM芯片。
簡(jiǎn)稱：DDR
標(biāo)準(zhǔn)：Double Date Rate
中文：雙倍數(shù)據(jù)傳輸率
DDR系統(tǒng)時(shí)脈為100或133MHz，但是數(shù)據(jù)傳輸速率為系統(tǒng)時(shí)脈的兩倍，即200或266MHz，系統(tǒng)使用3.3或3.5V的電壓。因?yàn)镈DR SDRAM的速度增加，因此它的傳輸效能比同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存SDRAM好。
DDR is the acronym for Double Data Rate Synchronous DRAM SDRAM. DDR SDRAM
memory technology is an evolutionary technology derived from mature SDRAMtechnology. The secret to DDR memory's high performance is its ability toperform two data operations in one clock cycle - providing twice the throughput
of SDRAM
簡(jiǎn)稱：DIMM
標(biāo)準(zhǔn)：Dual in Line Memory Module
中文：雙直列內(nèi)存條
DIMM是一個(gè)采用多塊隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM芯片Chip焊接在一片PCB板上模塊，它實(shí)際上是一種封裝技術(shù)。在PCB板的一邊緣上，每面有64叫指狀銅接觸條，兩面共有168條。DIMM可以分為3.3V和5V兩種電壓，這其中又有含緩沖器以及不含緩沖器兩種，目前比較常見的是3.3V含緩沖器類型，而DIMM還需要一個(gè)抹除式只讀存儲(chǔ)器EPROM供基本輸出入系統(tǒng)BIOS儲(chǔ)存各種參數(shù)，讓芯片組Chipset達(dá)到最佳狀態(tài)。
簡(jiǎn)稱：DRAM
標(biāo)準(zhǔn)：Dynamic Random Access Memory
中文：動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
一般計(jì)算機(jī)系統(tǒng)使用的隨機(jī)存取內(nèi)存RAM可分動(dòng)態(tài)與靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存SRAM兩種，差異在于DRAM需要由存儲(chǔ)器控制電路按一定周期對(duì)存儲(chǔ)器刷新，才能維系數(shù)據(jù)保存，SRAM的數(shù)據(jù)則不需要刷新過程，在上電期間，數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。
簡(jiǎn)稱：ECC
標(biāo)準(zhǔn)：Error Checking and Correction在處理單位作錯(cuò)誤偵測(cè)和改正所有的單一位的誤差，也可以作雙位或多位的誤差核對(duì)與改正。
簡(jiǎn)稱：EDO DRAM
標(biāo)準(zhǔn)：Extend Data Out Dynamic Random Access Memory
中文：EDO動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
EDO DRAM也稱為Hyper Page Mode DRAM，這是一種可以增加動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存DRAM讀取效能的存儲(chǔ)器，為了提高EDO DRAM的讀取效率，EDO DRAM可以保持資料輸出直到下一周期CAS#之下降邊緣，而EDO DRAM的頻寬由100個(gè)兆字節(jié)MB增加到了200MB。
簡(jiǎn)稱：EEPROM
標(biāo)準(zhǔn)：Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory
中文：電子抹除式只讀存儲(chǔ)器
非揮發(fā)性存儲(chǔ)器。電源撤除后，儲(chǔ)存的信息Data依然存在，在特殊管腳上施加電壓，同時(shí)輸出相應(yīng)命令，就可以擦除內(nèi)部數(shù)據(jù)。典型應(yīng)用于如電視機(jī)、空調(diào)中，存儲(chǔ)用戶設(shè)置的參數(shù)。
這種存儲(chǔ)器支持再線修改數(shù)據(jù)，每次寫數(shù)據(jù)之前，必須保證書寫單元被擦除干凈，寫一個(gè)數(shù)據(jù)的大約時(shí)間在2-10ms之間。支持單字節(jié)單元擦除功能。
簡(jiǎn)稱：EPROM
標(biāo)準(zhǔn)：Erasable Programmable Read-Only Memory
中文：紫外擦除只讀存器
非揮發(fā)性存儲(chǔ)器。不需要電力來維持其內(nèi)容，非常適合用作硬件當(dāng)中的基本輸出入系統(tǒng)BIOS。允許使用者以紫外線消除其中的程序重復(fù)使用。
這種存儲(chǔ)器不支持再線修改數(shù)據(jù)。
簡(jiǎn)稱：Flash
標(biāo)準(zhǔn)：Memory
中文：閃爍存儲(chǔ)器
非揮發(fā)性存儲(chǔ)器。是目前在可在線可改寫的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器中容量最大的存儲(chǔ)器。支持再線修改數(shù)據(jù)，寫數(shù)據(jù)的速度比EEPROM提高1個(gè)數(shù)量級(jí)。
Flash應(yīng)用于大容量的數(shù)據(jù)和程序存儲(chǔ)，如電子字典庫、固態(tài)硬盤、PDA上的操作系統(tǒng)等。
簡(jiǎn)稱：FeRAM
標(biāo)準(zhǔn)：Ferroelectric random access memory
中文：鐵電存儲(chǔ)器
ferroelectric random access memory FRAM is a new generation of nonvolatilememory that combines high-performance and low-power operation with the abilityto retain data without power.FRAM has the fast read/write speed and low power of battery-backed SRAM andeliminates the need for a battery
簡(jiǎn)稱：MRAM
標(biāo)準(zhǔn)：Magnetoresistive Random Access Memory
中文：磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器
磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器是正在開發(fā)階段的，基于半導(dǎo)體1T和磁通道m(xù)agnetic tunneljunction-MTJ技術(shù)的固態(tài)存儲(chǔ)介質(zhì)，屬于非揮發(fā)性芯片。主要開發(fā)廠商有IBM、Infineon英飛凌、Cypress和Motorola摩托羅拉。其擦寫次數(shù)高于現(xiàn)有的Flash存儲(chǔ)器，可達(dá)
1015，讀寫時(shí)間可達(dá)70nS，
簡(jiǎn)稱：RAM
標(biāo)準(zhǔn)：Random Access Memory
中文：隨機(jī)存儲(chǔ)器
隨機(jī)存取內(nèi)存，是內(nèi)存Memory的一種，由計(jì)算機(jī)CPU控制，是計(jì)算機(jī)主要的儲(chǔ)存區(qū)域，指令和資料暫時(shí)存在這里。RAM是可讀可寫的內(nèi)存，它幫助中央處理器 CPU 工作，從鍵盤Keyboard 或鼠標(biāo)之類的來源讀取指令，幫助CPU把資料 Data 寫到一樣可讀可寫的輔助內(nèi)存 Auxiliary Memory ，以便日后仍可取用，也能主動(dòng)把資料送到輸出裝置，例如打印機(jī)、顯示器。 RAM的大小會(huì)影響計(jì)算的速度，RAM越大，所能容納的資料越多，CPU讀取的速度越快。
簡(jiǎn)稱：RDRAM
標(biāo)準(zhǔn)：Rambus DRAM
中文：Rambus動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
這是一種主要用于影像加速的內(nèi)存 Memory ，提供了1000Mbps的傳送速率，作業(yè)時(shí)不會(huì)間斷，比起動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存 DRAM 的200mbps更加快速，當(dāng)然價(jià)格比要DRAM貴。雖然RDRA無法完全取代現(xiàn)有內(nèi)存，不過因?yàn)榭偩€ BUS 速度的需求，可以取代DRAM與靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存 SRAM 。 SDRAM的運(yùn)算速度為100赫茲 Hz ，制造商展示的RDRAM則可達(dá)600MHz，內(nèi)存也只有8或9位 bit 長，若將RDRAM并排使用，可以大幅增加頻寬Bandwidth ，將內(nèi)存增為32或64位。
簡(jiǎn)稱：ROM
標(biāo)準(zhǔn)：Read Only Memory
中文：只讀存儲(chǔ)器
只讀存儲(chǔ)器，這種內(nèi)存 Memory 的內(nèi)容任何情況下都不會(huì)改變，計(jì)算機(jī)與使用者只能讀取保存在這里的指令，和使用儲(chǔ)存在ROM的數(shù)據(jù)，但不能變更或存入資料。 ROM被儲(chǔ)存在一個(gè)非揮發(fā)性芯片上，也就是說，即使在關(guān)機(jī)之后記憶的內(nèi)容仍可以被保存，所以這種內(nèi)存多用來儲(chǔ)存特定功能的程序或系統(tǒng)程序。 ROM儲(chǔ)存用來激活計(jì)算機(jī)的指令，開機(jī)的時(shí)候ROM提供一連串的指令給中央處理單元進(jìn)行測(cè)試，在最初的測(cè)試中，檢查RAM位置location以確認(rèn)其儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的能力。此外其它電子組件包括鍵盤 Keyboard 、計(jì)時(shí)回路timercircuit以及CPU本身也被納入CPU的測(cè)試中。
簡(jiǎn)稱：SDRAM
標(biāo)準(zhǔn)：Synchronous Dynamic RAM
中文：同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
SDRAM的運(yùn)作時(shí)脈和微處理器 Microprocessor 同步，所以可以比EDO 動(dòng)態(tài)記憶模塊EDO DRAM 的速度還快，采用3.3V電壓EDO DRAM為5V，168個(gè)接腳，還可以配合中央處理器 CPU 的外頻 External Clock ，而有66與100MHz不同的規(guī)格，100MHz的規(guī)格就是大家所熟知的PC100內(nèi)存 Memory 。
簡(jiǎn)稱：SIMM
標(biāo)準(zhǔn)：Single In-Line Memory Module
中文：?jiǎn)沃绷袃?nèi)存模塊
內(nèi)存Memory 模塊的概念一直到80386時(shí)候才被應(yīng)用在主機(jī)板Mother Board上，當(dāng)時(shí)的接腳主要為30個(gè)，可以提供8條資料 Data 存取線 Access Line，一次資料存取
Access為32個(gè)字節(jié)，所以分為四條一組，因此80386以四條為一個(gè)單位。而今一條SIMM為72Pins，不過只能提供32字節(jié)的工作量，但是外部的數(shù)據(jù)總線Data Bus為64字節(jié)bite，因此一個(gè)主機(jī)板上必須有兩條SIMM才足以執(zhí)行龐大的資料Data處理工作。
簡(jiǎn)稱：SRAM
標(biāo)準(zhǔn)：Static Random Access Memory
中文：靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
SRAM制造方法與動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存DRAM 不同，每個(gè)位使用6個(gè)晶體管transistor組成，不需要不斷對(duì)晶體管周期刷新以保持?jǐn)?shù)據(jù)丟失，其存取時(shí)間較短控制電路簡(jiǎn)單，但制造成本較高，單片難以做到DRAM那樣容量。
簡(jiǎn)稱：VCM SDRAM
標(biāo)準(zhǔn)：Virtual Channel Memory SDRAM
中文：虛擬信道存儲(chǔ)器
1999年由于SDRAM在市場(chǎng)上大為缺貨，而由日本NEC恩益禧搭配一些主機(jī)板廠商及芯片組Chipset業(yè)者，大力推廣所謂的VCM模塊技術(shù)，而為消費(fèi)者廣為接受，日本NEC更希望一舉將VCM的規(guī)格推向工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。VCM內(nèi)存規(guī)格是以SDRAM為基礎(chǔ)觀念所開發(fā)出的新產(chǎn)品，并加強(qiáng)原有的SDRAM功能。昔日的SDRAM須等待中央處理器CPU處理完資料或VGA卡處理完資料后，才能完整地送至SDRAM做進(jìn)一步的處理，然而VCM的內(nèi)部區(qū)分為16條虛擬信道VirtualChannel，每一個(gè)信道都負(fù)責(zé)一個(gè)單獨(dú)的memory master，因此可以減少內(nèi)存Memory接口的負(fù)擔(dān)，進(jìn)而增加計(jì)算機(jī)使用者使用效率。 目前為全球第四大內(nèi)存模塊廠商的宇瞻科技與日本NEC技術(shù)合作，在臺(tái)灣推出以PC133 PC133 VCM內(nèi)存模塊為設(shè)計(jì)的筆記型計(jì)算機(jī)，由于VCM技術(shù)可以減少內(nèi)存接口的負(fù)擔(dān)，以及本身低耗電的特性，相當(dāng)適合筆記型計(jì)算機(jī)的運(yùn)用，品質(zhì)與一般個(gè)人計(jì)算機(jī)相較之下毫不遜色。
ai芯片和普通芯片區(qū)別
1、性能與傳統(tǒng)芯片，比如CPU、GPU有很大的區(qū)別。在執(zhí)行AI算法時(shí)，更快、更節(jié)能。普通芯片的速度慢，性能低，無法實(shí)際商用。
2、普通芯片在上傳和下載的過程中，完全有可能出現(xiàn)數(shù)據(jù)泄露的問題。ai芯片在手機(jī)終端就能進(jìn)行計(jì)算，無需上傳到云端，就避免了數(shù)據(jù)泄露的風(fēng)險(xiǎn)。
集成電路(英語：integrated circuit，縮寫作 IC)，或稱微電路(microcircuit)、微芯片(microchip)、晶片/芯片(chip)在電子學(xué)中是一種把電路(主要包括半導(dǎo)體設(shè)備，也包括被動(dòng)組件等)小型化的方式，并時(shí)常制造在半導(dǎo)體晶圓表面上。晶體管發(fā)明并大量生產(chǎn)之后，各式固態(tài)半導(dǎo)體組件如二極管、晶體管等大量使用，取代了真空管在電路中的功能與角色。到了20世紀(jì)中后期半導(dǎo)體制造技術(shù)進(jìn)步，使得集成電路成為可能。相對(duì)于手工組裝電路使用個(gè)別的分立電子組件，集成電路可以把很大數(shù)量的微晶體管集成到一個(gè)小芯片，是一個(gè)巨大的進(jìn)步。集成電路的規(guī)模生產(chǎn)能力，可靠性，電路設(shè)計(jì)的模塊化方法確保了快速采用標(biāo)準(zhǔn)化集成電路代替了設(shè)計(jì)使用離散晶體管。集成電路對(duì)于離散晶體管有兩個(gè)主要優(yōu)勢(shì)：成本和性能。成本低是由于芯片把所有的組件通過照相平版技術(shù)，作為一個(gè)單位印刷，而不是在一個(gè)時(shí)間只制作一個(gè)晶體管。性能高是由于組件快速開關(guān)，消耗更低能量，因?yàn)榻M件很小且彼此靠近。
什么是仿生芯片
芯片是將電路制造在半導(dǎo)體芯片表面上的集成電路又稱薄膜集成電路。另有一種厚膜集成電路是由獨(dú)立半導(dǎo)體設(shè)備和被動(dòng)組件，集成到襯底或線路板所構(gòu)成的小型化電路。晶體管發(fā)明并大量生產(chǎn)之后，各式固態(tài)半導(dǎo)體組件如二極管、晶體管等大量使用，取代真空管在電路中的功能與角色。到了20世紀(jì)中后期半導(dǎo)體制造技術(shù)進(jìn)步，使得集成電路成為可能。相對(duì)于手工組裝電路使用個(gè)別的分立電子組件，集成電路可以把很大數(shù)量的微晶體管集成到一個(gè)小芯片，是一個(gè)巨大的進(jìn)步。
集成電路英語：integrated circuit，縮寫作 IC;或稱微電路(microcircuit)、微芯片(microchip)、晶片/芯片(chip)在電子學(xué)中是一種將電路(主要包括半導(dǎo)體設(shè)備，也包括被動(dòng)組件等)小型化的方式，并時(shí)常制造在半導(dǎo)體晶圓表面上。將電路制造在半導(dǎo)體芯片表面上的集成電路又稱薄膜(thin-film)集成電路。另有一種厚膜(thick-film)集成電路(hybrid integrated circuit)是由獨(dú)立半導(dǎo)體設(shè)備和被動(dòng)組件，集成到襯底或線路板所構(gòu)成的小型化電路。
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